Sešstūra bora nitrīda plaša uzklāšana - mikroshēmu dzesēšanas materiāls

Tā kā elektroniskie komponenti un sistēmas kļūst mazākas un ātrākas, termiskā apstrāde un uzticamība kļūst par galvenajiem jautājumiem, kas ietekmē to ilgmūžību. Vietējo karsto punktu termiskā pārvaldība ar lielu siltuma plūsmu ir lieljaudas elektronisko ierīču atslēga.

Lai gan grafēnam ir ļoti augsta siltumvadītspēja (5300W/(m·K)), eksperimentā tika konstatēts, ka silīcija dioksīda izolācijas slāņa biezums uz mikroshēmas virsmas ietekmētu grafēna siltuma izkliedes efektu. Ja silīcija dioksīda slānis ir pārāk biezs, tas kavēs efektīvu karstā punkta siltuma vadīšanu grafēna slānī; ja silīcija dioksīda slānis ir pārāk plāns, ir viegli panākt metāla ķēdes saskari ar grafēna slāni un izraisīt īssavienojumu. Sešstūra bora nitrīds kā materiāls gan izolācijai, gan augstai siltumvadītspējai kļūs par galveno materiālu, lai uzlabotu mikroshēmu siltuma izkliedes spēju.